1. En la página 94, los puntos 2B206.c.1 y 2B206.c.2 se sustituyen por el texto siguiente:
«1. | Que contengan un "láser", y |
2. | Capaces de mantener durante 12 horas como mínimo, a una temperatura de ± 1 K (± 1 °C) en torno a una temperatura normalizada y una presión normalizada, todas las características siguientes: a. Una "resolución", en toda la escala, igual a 0,1 μm o mejor, y b. Con una "incertidumbre de medida" igual o mejor que (inferior a) (0,2 + L/2 000) μm (donde L es la longitud medida expresada en mm).». |
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2. En la página 142, los puntos 3B001.f.3 y 3B001.g se sustituyen por el texto siguiente:
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«3.
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Equipos diseñados especialmente para la fabricación de máscaras, que reúnan todas las características siguientes:
a. Un haz de electrones, un haz de iones o un haz "láser", enfocado y desviable, y
b.
Que posean cualquiera de las características siguientes:
1. Un tamaño de anchura de altura media (FWHM) del haz en el impacto (spot) inferior a 65 nm y una colocación de imagen inferior a 17 nm (media + 3 sigma), o
2. Sin uso
3. Un error de recubrimiento de la segunda capa inferior a 23 nm (media + 3 sigma) de la máscara
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4.
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Equipos diseñados para el proceso de dispositivos, utilizando métodos de escritura directa, que reúnan todas las características siguientes:
a. Un haz de electrones enfocado y desviable, y
b. Que posean cualquiera de las características siguientes:
1. Un tamaño mínimo del haz inferior o igual a 15 nm, o
2. Un error de recubrimiento inferior a 27 nm (media + 3 sigma)
g. Máscaras y retículas, diseñadas para circuitos integrados especificados en el artículo 3A001».
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3. En la página 160, los puntos 5E001.d.1 a 5E001.d.8 se sustituyen por el texto siguiente:
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«1.
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Tasados para operar a frecuencias superiores a 2,7 GHz e inferiores o iguales a 6,8 GHz, con un "ancho debanda fraccional" superior al 15 %, y que posean cualquiera de características siguientes:
a. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 75 W (48,75 dBm) en cualquier frecuencia superior a 2,7 GHz e inferior o igual a 2,9 GHz, o
b. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 55 W (47,4 dBm) en cualquier frecuencia superior a 2,9 GHz e inferior o igual a 3,2 GHz
c. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 55 W (47,4 dBm) en cualquier frecuencia superior a 2,9 GHz e inferior o igual a 3,2 GHz, o
d. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 20 W (43 dBm) en cualquier frecuencia superior a 3,7 GHz e inferior o igual a 6,8 GHz
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2.
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Tasados para operar a frecuencias superiores a 6,8 GHz e inferiores o iguales a 16 GHz, con un "ancho de banda fraccional" superior al 10 %, y que posean cualquiera de las características siguientes:
a. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 10 W (40 dBm) en cualquier frecuencia superior a 6,8 GHz e inferior o igual a 8,5 GHz, o
b. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 5 W (37 dBm) en cualquier frecuencia superior a 8,5 GHz e inferior o igual a 16 GHz
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3.
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Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 3 W (34,77 dBm) en cualquier frecuencia superior a 16 GHz e inferior o igual a 31,8 GHz y con un "ancho de banda fraccional" superior al 10 %
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4.
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Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 0,1 nW (– 70 dBm) en cualquier frecuencia superior a 31,8 GHz e inferior o igual a 37 GHz
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5.
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Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 1 W (30 dBm) en cualquier frecuencia superior a 37 GHz e inferior o igual a 43,5 GHz y con un “ancho de banda fraccional superior” al 10 %
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6.
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Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 31,62 mW (15 dBm) en cualquier frecuencia superior a 43,5 GHz e inferior o igual a 75 GHz y con un "ancho de banda fraccional" superior al 10 %
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7.
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Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 10 mW (10 dBm) en cualquier frecuencia superior a 75 GHz e inferior o igual a 90 GHz y con un "ancho de banda fraccional" superior al 5 %, o
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8.
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Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 0,1 nW (– 70 dBm) en cualquier frecuencia superior a 90 GHz».
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4. En la página 175, los puntos 6A002.a.1.a a 6A002.a.1.d se sustituyen por el texto siguiente:
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«a.
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Detectores de estado sólido "calificados para uso espacial" que reúnan todas las características siguientes:
1. Respuesta de pico en una gama de longitudes de onda superiores a 10 nm, pero que no sobrepasen los 300 nm, y
2. Respuesta inferior a 0,1 % con respecto a la respuesta de pico a longitudes de onda superiores a 400 nm
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b.
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Detectores de estado sólido "calificados para uso espacial" que reúnan todas las características siguientes:
1. Respuesta de pico en una gama de longitudes de onda superiores a 900 nm, pero que no sobrepasen los 1 200 nm, y
2. "Constante de tiempo" de respuesta igual o inferior a 95 ns |
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c.
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Detectores de estado sólido "calificados para uso espacial" que tengan una respuesta de pico en una gama de longitudes de onda superiores a 1 200 nm, pero que no sobrepasen los 30 000 nm
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d.
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"Conjuntos de plano focal""calificados para uso espacial" que tengan más de 2 048 elementos por conjunto y con respuesta de pico en una gama de longitudes de onda superiores a 300 nm, pero que no sobrepasen los 900 nm».
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5. En la página 179, los puntos 6A002.b a 6A002.f se sustituyen por el texto siguiente:
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«b.
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"Sensores monoespectrales de formación de imágenes" y "sensores multiespectrales de formación de imágenes" diseñados para aplicaciones de teledetección, y que presenten cualquiera de las características siguientes:
1. Campo de visión instantáneo (IFOV) inferior a 200 microrradianes, o
2. Especificados para funcionar en una gama de longitudes de onda superiores a 400 nm, pero que no sobrepasen los 30 000 nm, y que reúnan todas las características siguientes:
a. Que proporcionen salida de datos de imagen en formato digital, y
b. Que posean cualquiera de las características siguientes:
1. "Calificados para uso espacial", o
2. Estar diseñados para funcionamiento aerotransportado, utilizar detectores que no sean de silicio y tener un campo de visión instantáneo (IFOV) menor que 2,5 mrad (milirradianes)
Nota:
El subartículo 6A002.b.1 no somete a control los "sensores monoespectrales de formación de imágenes", con respuesta de pico en una gama de longitudes de onda superiores a 300 nm, pero que no sobrepasen los 900 nm, y que incorporen únicamente alguno de los detectores no "calificados para uso espacial" o "conjuntos de plano focal" no "calificados para uso espacial" que se indican a continuación:
1. Dispositivos de carga acoplada (CCD) no diseñados ni modificados para alcanzar una ‘multiplicación de carga’, o
2. Dispositivos de semiconductores de óxido metálico complementarios (CMOS) no diseñados ni modificados para alcanzar una ‘multiplicación de carga’.
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c.
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Equipos de formación de imágenes de ‘visión directa’ que tengan alguno de los siguientes elementos:
1. Tubos intensificadores de imagen especificados en el subartículo 6A002.a.2.a o en el subartículo 6A002.a.2.b
2. "Conjuntos de plano focal" especificados en el subartículo 6A002.a.3, o
3. Detectores de estado sólido especificados en el subartículo 6A002.a.1
Nota técnica:
La expresión ‘visión directa’ se refiere a los equipos de formación de imágenes que presentan al observador humano una imagen visible sin convertirla en una señal electrónica para su visualización en una pantalla de televisión, y que no pueden grabar ni almacenar la imagen por medios fotográficos, electrónicos o de otra clase.
Nota:
El subartículo 6A002.c no somete a control los equipos siguientes dotados de fotocátodos distintos de los de GaAs o GaInAs:
a. Sistemas de alarma por allanamiento industriales o civiles, o sistemas de control o de recuento de tráfico o de movimientos en la industria
b. Equipo médico
c. Equipos industriales utilizados para la inspección, clasificación o análisis de las propiedades de los materiales
d. Detectores de llama para hornos industriales
e. Equipos diseñados especialmente para uso en laboratorio.
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d.
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Componentes para uso especial, para sensores ópticos, según se indica:
1. Sistemas de refrigeración criogénicos "calificados para uso espacial"
2. Sistemas de refrigeración criogénicos no "calificados para uso espacial" con temperatura de la fuente de refrigeración inferior a 218 K (– 55 °C), según se indica:
a. De ciclo cerrado y con un tiempo medio hasta el fallo (MTTF) o un tiempo medio entre fallos (MTBF) superior a 2 500 horas
b. Minirrefrigeradores autorregulables Joule Thomson (JT) que tengan diámetros interiores (exterior) inferiores a 8 mm
3. Fibras ópticas sensoras fabricadas especialmente, en su composición o estructura, o modificadas por revestimiento, de forma que sean sensibles a los efectos acústicos, térmicos, inerciales, electromagnéticos o a las radiaciones nucleares
Nota:
El subartículo 6A002.d.3 no somete a control las fibras ópticas sensoras encapsuladas diseñadas especialmente para aplicaciones de detección de orificios de perforación.
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f.
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‘Circuitos integrados de lectura’ (‘ROIC’) diseñados especialmente para los "conjuntos de plano focal" especificados en el subartículo 6A002.a.3.
Nota:
El subartículo 6A002.f no somete a control los ‘circuitos integrados de lectura’ diseñados especialmente para aplicaciones automovilísticas civiles
Nota técnica:
Un ‘circuito integrado de lectura’ (‘ROIC’) es un circuito integrado diseñado para subyacer o estar unido a un "conjunto de plano focal" ("FPA") y utilizado para leer (es decir, extraer y registrar) las señales producidas por los elementos detectores. Como mínimo, el ‘ROIC’ lee la carga de los elementos detectores extrayendo la carga y aplicando una función de multiplexado de manera que conserve la información de posicionamiento y orientación espacial relativa de los elementos detectores para tratamiento dentro o fuera del ‘ROIC’.».
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