Agencia Estatal Boletín Oficial del Estado

En la página 129, en la entrada 3B001.f, puntos 3 y 4, la estructura se modifica como sigue:

 

donde dice:

 

«3. Equipos diseñados especialmente para la fabricación de máscaras, que reúnan todas las características siguientes:

a. Un haz de electrones, un haz de iones o un haz “láser”, enfocado y desviable, y

b. Que posean cualquiera de las características siguientes:

 1. Un tamaño de anchura de altura media (FWHM) del haz en el impacto (spot) inferior a 65 nm y una colocación de imagen inferior a 17 nm (media + 3 sigma), o

 2. Sin uso

 3. Un error de recubrimiento de la segunda capa inferior a 23 nm (media + 3 sigma) de la máscara

 4. Equipos diseñados para el proceso de dispositivos, utilizando métodos de escritura directa, que reúnan todas las características siguientes:

  a. Un haz de electrones enfocado y desviable, y b. Que posean cualquiera de las características siguientes:

  1. Un tamaño mínimo del haz inferior o igual a 15 nm, o

  2. Un error de recubrimiento inferior a 27 nm (media + 3 sigma)»,

 

debe decir:

 

«3. Equipos diseñados especialmente para la fabricación de máscaras, que reúnan todas las características siguientes:

 a. Un haz de electrones, un haz de iones o un haz “láser”, enfocado y desviable, y

 b. Que posean cualquiera de las características siguientes:

  1. Un tamaño de anchura de altura media (FWHM) del haz en el impacto (spot) inferior a 65 nm y una colocación de imagen inferior a 17 nm (media + 3 sigma), o

  2. Sin uso

  3. Un error de recubrimiento de la segunda capa inferior a 23 nm (media + 3 sigma) de la máscara

  4. Equipos diseñados para el proceso de dispositivos, utilizando métodos de escritura directa, que reúnan todas las características siguientes:

 a. Un haz de electrones enfocado y desviable, y

 b. Que posean cualquiera de las características siguientes:

  1. Un tamaño mínimo del haz inferior o igual a 15 nm, o

  2. Un error de recubrimiento inferior a 27 nm (media + 3 sigma)».